High-Power Diode Laser Bars | 808 nm, 300W, QCW Featured Image
  • High-Power Diode Laser Bars | 808 nm, 300W, QCW

环形准连续半导体激光器叠阵

主要特性:

· 宏通道水冷结构

· 长脉宽、高占空比工作

· 金锡硬焊料封装

· 可定制多波长组合

  

应用领域:

· 泵浦固体增益介质

· 科研及医疗用途

 

 


产品描述

产品 Tags

 

产品描述:

环形准连续半导体激光器叠阵(Annular QCW Laser Diode Stack)属于高功率固体激光器领域,使用于棒状增益介质。它由环形半导体激光阵列和热沉组成,多个半导体激光阵列组成一个完整的、圆形的泵浦腔,这种泵浦方法可以大幅度提高泵浦密度和泵浦均匀性。


技术指标:


参数

数值

 

备注

LM-808-Q800-C16-HA

LM-808-Q1000-C20-HA

LM-808-Q1600-C16-HA

LM-808-Q2000-C20-HA

中心波长

nm

808±2nm


泵浦峰值功率

W

800

1000

1600

2000


脉冲宽度

μs

250μs

250μs

250μs

250μs


占空比

%

25%

25%

3%

3%


巴条数

-

16

20

16

20


工作电流

A

≤50

≤50

≤100

≤100


工作电压

V

≤2/Bar


冷却方式

-

宏通道水冷


水冷温度

25±3


水流量

L/min

8


存储温度

-10~50


备注:

可定制790nm~815nm波长范围内单波长或多波长;

更多波长、功率、Bar间距和其他定制指标需求,请联系我们。



尺寸图:

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