High-Power Diode Laser Bars | 808 nm, 300W, QCW Featured Image
  • High-Power Diode Laser Bars | 808 nm, 300W, QCW

准连续半导体激光器叠阵

主要特性:

· 金锡焊料封装

· 光谱宽度可控

· 高峰值功率

· 高可靠性长寿命

· 宽温度工作范围

  

应用领域:

· 照明

· 检测

· 科研

· 固体激光器泵浦


 

 


产品描述

产品 Tags

 

产品描述:

该激光器是叠阵形式封装的准连续半导体激光器(QCW Laser Diode G-Stack),作为泵浦源使用,具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。


技术指标:

规格型号:LM-808-Q1200-F-G6-P0.73-0

参数

单位

最小值

典型值

最大值

峰值功率(@25℃)

W

200

1200

1800

中心波长(@25℃)

nm

/

808

/

中心波长范围

nm

±2

光谱宽度(FWHM)

nm

/

3

/

快轴发散角(FWHM)

°

/

36

/

慢轴发散角(FWHM)

°

/

8

/

波长温度系数

nm/℃

/

0.26

0.28

脉冲宽度

μs

/

200

500

占空比

%

/

0.4

1

工作电流  

A

/

200

300

电光转换效率

%

50

55

/

工作电压

V

/

11.4

12

巴条数目

-

/

6

/

巴条间距

mm

/

0.73

/

工作温度

-45

25

70

存储温度

-60

25

85

备注:波长、功率、外形结构等其他技术指标均可接受定制


尺寸图:

image.png


典型产品:

LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0.pngQCW-LDS.png